图书介绍
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- 西格（K. Seeger）著；徐乐，钱建业译 著
- 出版社： 北京：人民教育出版社
- ISBN：13012·0424
- 出版时间：1980
- 标注页数：603页
- 文件大小：16MB
- 文件页数：621页
- 主题词：
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图书目录
第一章 半导体的基本性质1
§1-1 绝缘体-半导体-半金属-金属1
重要符号表1
§1-2 正空穴3
§1-3 传导过程、补偿、质量作用定律5
第二章 能带结构10
§2-1 单一势阱和周期重复势阱10
§2-2 紧束缚于原子的电子的能带20
§2-3 布里渊区23
§2-4 等能面35
第三章 半导体统计学40
§3-1 费密统计40
§3-2 杂质能级的占有因子50
§4-2 电导率和它的温度依赖关系57
第四章 非简并电子气中电荷和能量的输运57
§4-1 电子气的动力学理论57
§4-3 横向磁场中的霍耳效应68
§4-4 磁阻82
§4-5 科宾诺(Corbino)电阻87
§4-6 非均匀样品的磁阻90
§4-7 平面霍耳效应92
§4-8 热导率、罗仑兹数、与金属的比较94
§4-9 温差电(塞贝克)效应99
§4-10 汤姆逊和珀尔帖效应107
§4-11 热磁效应113
§4-12 压阻123
§4-13 热电子(hot electrons)和能量弛豫时间129
§4-14 高频电导135
§4-15 噪声137
第五章 载流子的扩散过程143
§5-1 注入和复合143
§5-2 扩散和爱因斯坦关系145
§5-3 P-n结152
§5-4 准费密能级162
§5-5 晶体管164
§5-6 金属-半导体接触170
§5-7 各种类型的晶体管172
§5-8 丹倍效应和光电磁效应175
§5-9 光生伏特效应179
§5-10 热载流子扩散182
§6-1 中性杂质散射186
第六章 球形单谷模型中的散射过程186
§6-2 弹性散射过程190
§6-3 电离杂质散射194
§6-4 载流子的声学波形变势散射199
§6-5 热载流子(hot carriers)的声学波形变势散射203
§6-6 电离杂质散射与声学波形变势散射的组合210
§6-7 压电散射217
§6-8 晶体的声子谱220
§6-9 非弹性散射过程230
§6-10 动量平衡方程和移位麦克斯韦分布235
§6-11 光学波形变势散射239
§6-12 极性光学波散射250
§6-13 载流子-载流子散射259
§6-14 杂质传导和跳跃过程261
§6-15 位错散射263
第七章 多谷模型中的电荷输运及散射过程271
§7-1 形变势张量271
§7-2 电导率275
§7-3 弱磁场中的霍耳效应280
§7-4 弱场磁阻282
§7-5 等效谷际散射和能谷再分布效应288
§7-6 温载流子和热载流子的电流磁现象301
§7-7 非等效谷际散射、负微分电导和耿氏振荡307
§7-8 声电效应322
第八章 扭曲球面模型中载流子的输运336
§8-1 能带和态密度336
§8-2 电导率342
§8-3 霍耳效应和磁阻342
§8-4 温空穴和热空穴349
第九章 输运现象中的量子效应354
§9-1 隧道二极管354
§9-2 磁量子效应360
§9-3 载流子的磁冻结现象366
§9-4 磁声子效应369
第十章 碰撞电离和雪崩击穿378
§10-1 均匀半导体中的低温碰撞电离378
§10-2 p-n结中的雪崩击穿385
第十一章 光的吸收和反射392
§11-1 基本吸收和能带结构392
§11-2 吸收限：对温度、压力、合金成份和简并性的依赖关系397
§11-3 激子吸收408
§11-4 磁场下的带间跃迁411
§11-5 Franz-Keldysh效应(电吸收和电反射)416
§11-6 杂质吸收421
§11-7 极性半导体中的晶格反射429
§11-8 多声子晶格吸收433
§11-9 基本光吸收限的量子力学处理437
§11-10 自由载流子的吸收和反射443
§11-11 廻旋共振467
§11-12 自由载流子的磁光效应475
§11-13 带间磁光效应485
§11-14 磁等离子体波487
§11-15 非线性光学492
§11-16 光子曳引(光电效应)498
第十二章 光电导508
§12-1 光电导动力学508
§12-2 锗中的深能级514
§12-3 受主的俘获截面522
第十三章 半导体产生的光振荡525
§13-1 发光二极管525
§13-2 半导体激光器529
第十四章 其它半导体542
§14-1 超导半导体542
§14-2 液态、玻璃状和无定形半导体544
§14-3 有机半导体557
附录A 电导率张量和热导率张量564
附录B 修正贝塞尔函数568
附录C 电阻率和霍耳效应的测量方法573
附录D 光的透射率和反射率；Kramers Kronig关系式581
附录E 半导体典型性质的测量588
重要量的数值590