图书介绍
MOS数字大规模及超大规模集成电路PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 徐葭生编著 著
- 出版社： 北京：清华大学出版社
- ISBN：7302006598
- 出版时间：1990
- 标注页数：229页
- 文件大小：6MB
- 文件页数：234页
- 主题词：
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图书目录
第一章 小尺寸MOS器件模型1
第一节 GCA及其局限性1
第二节 沟道区离子注入作用4
第三节 开启电压的短窄沟效应15
第四节 表面迁移率的纵向电场效应23
第五节 源漏电流IDS25
第六节 沟长调制效应35
第七节 电荷守恒电容模型39
第八节 次开启电流50
第一节 Scaling-Down的基本原理59
第二章 器件尺寸缩小及其限制59
第二节 源漏穿通及次开启62
第三节 热载流子效应66
第四节 反型层电容分压72
第五节 内连线对延迟时间的影响73
第六节 尺寸缩小的限制分析77
第三章 VLSI随机存储器80
第一节 DRAM单元80
第二节 灵敏恢复放大器86
第三节 DRAM总体结构102
第四节 NMOSDRAM电路形式及性能104
第五节 CMOSDRAM113
第六节 Mb级DRAM118
第七节 VLSISRAM123
第八节 冗余容错技术129
第九节 专用RAM139
第四章 运算电路143
第一节 算术逻辑单元（ALU）143
第二节 其他运算器电路151
第三节 乘法器157
第五章 控制电路165
第一节 简单控制器165
第二节 存储程序控制166
第三节 微程序控制169
第六章 专用集成电路178
第一节 门阵列179
第二节 标准单元法187
第三节 ROM基专用电路192
第七章 GaAs高速集成电路及其他新型高速电路211
第一节 材料的性质211
第二节 组成高速数字电路的器件212
第三节 电路形式215
第四节 几种高速GaAsVLSI218
第五节 高速BiCMOS技术221
第六节 高速低温CMOS电路226