图书介绍
CMOS集成电路原理、制造及应用PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 刘忠立编著 著
- 出版社： 北京：电子工业出版社
- ISBN：7505308718
- 出版时间：1990
- 标注页数：416页
- 文件大小：10MB
- 文件页数：426页
- 主题词：
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图书目录
第一章 CMOS集成电路的发展概况1
§1-1 CMOS集成电路的发展简史1
§1-2 CMOS集成电路的优点及缺点3
§1-3 CMOS集成电路的工艺结构及发展前景4
第二章 CMOS集成电路的基本原理及基本电路9
§2-1 MOS场效应晶体管的基本知识9
2-1-1 MOS电容器9
2-1-2 MOS晶体管11
2-1-3 MOS晶体管的特性方程14
§2-2 CMOS倒相器17
2-2-1 CMOS倒相器的静态特性17
2-2-2 CMOS倒相器的动态特性20
§2-3 CMOS传输门24
§2-4 其它的CMOS基本电路27
2-4-1 电平变换电路27
2-4-2 CMOS门电路29
2-4-3 具有三态输出的CMOS电路36
第三章 p阱CMOS集路电路39
§3-1 p阱CMOS集成电路的一般考虑39
§3-2 采用离子注入技术的p阱CMOS集成电路45
§3-3 硅栅p阱CMOS集成电路48
§3-4 等平面p阱CMOS集成电路51
§3-5 p阱CMOS集成电路的新发展52
3-5-1 全离子注入等平面p阱CMOS工艺53
3-5-2 自对准接触孔技术54
3-5-3 闭合漏CMOS集成电路54
3-5-4 由DMOS-VMOS构成的p阱CMOS集成电路57
第四章 n阱CMOS集成电路61
§4-1 n阱CMOS集成电路的一般考虑61
§4-2 铝栅NMOS/CMOS兼容的集成电路62
4-2-1 工艺的一般考虑62
4-2-2 n阱杂质浓度分布及p沟MOS管的阈值电压64
4-2-3 阈值电压调整70
4-2-4 PMOS晶体管的迁移率71
4-2-5 n阱工艺的设计准则74
4-2-6 CMOS/CCD兼容工艺76
§4-3 兼容的硅栅n阱CMOS集成电路77
4-3-1 硅栅E/D NMOS工艺77
4-3-2 硅栅NMOS/CMOS兼容的集成电路工艺考虑80
4-3-3 2μm全离子注入硅栅NMOS/CMOS集成电路的工艺设计及制造特点81
4-3-4 2μm NMOS/CMOS集成电路的实验结果93
4-3-5 等平面隔离n阱硅栅CMOS工艺102
附录：微分衬底效应系数D同耗尽深度xd的关系106
第五章 高低压兼容的CMOS集成电路109
§5-1 高压CMOS集成电路的一般考虑109
§5-2 MOS晶体管耐压的一般分析112
§5-3 以p阱工艺为基础的高低压兼容CMOS集成电路116
5-4-1 总的工艺结构118
§5-4 以n阱工艺为基础的高低压兼容CMOS集成电路118
5-4-2 N沟高压MOS晶体管120
5-4-3 p沟高压MOS晶体管128
第六章 CMOS-双极混合集成电路133
§6-1 CMOS-双极混合集成电路的基本考虑133
§6-2 p阱CMOS-双极集成电路135
§6-3 以双极工艺为基础的混合CMOS集成电路139
§6-4 全离子注入NMOS，CMOS-双极混合集成电路140
§6-5 区熔重结晶SOI CMOS-双极混合集成技术144
第七章 CMOS集成电路中的锁定(Latch-up)效应147
§7-1 CMOS集成电路中的锁定效应的分析147
§7-2 防止锁定效应产生的方法153
7-2-1 利用版图设计技巧减小或消除锁定效应153
7-2-2 改进工艺及电路结构以减小或消除锁定效应155
第八章 SOS-CMOS集成电路161
§8-1 SOS-CMOS集成电路的一般考虑161
§8-2 蓝宝石衬底164
§8-3 外延硅膜的制备及其电学性质168
8-3-1 晶面方向考虑168
8-3-2 外延硅膜制备169
8-3-3 SOS膜的电学性质173
§8-4 SOS-CMOS集成电路的分类及制造184
8-4-1 SOS-CMOS集成电路的分类184
8-4-2 SOS-CMOS集成电路的制造187
§8-5 SOS-CMOS集成电路中的特殊问题195
8-5-1 背界面态的影响195
8-5-2 SOS-MOS管的异常漏电流195
8-5-3 不规则的漏特性“扭曲”(kink)现象200
8-6-1 辐射效应的一般概念203
§8-6 SOS-CMOS集成电路的辐射效应及加固203
8-6-2 SOS-CMOS集成电路的辐射效应204
8-6-3 SOS-CMOS集成电路的加固205
第九章 其它新的CMOS技术213
§9-1 双阱CMOS技术213
§9-2 SOI(绝缘体上硅)CMOS技术215
9-2-1 多孔硅全隔离技术216
9-2-2 离子注入隐埋绝缘层技术218
9-2-3 绝缘层上多晶硅重结晶技术221
第十章 CMOS集成电路晶体管的模型方程、工艺模拟及参数测量技术228
§10-1 CMOS集成电路晶体管的模型方程228
10-1-1 长沟MOS晶体管的模型方程228
10-1-2 短沟MOS晶体管模型方程231
§10-2 工艺模拟240
10-2-1 离子注入分布242
10-2-2 扩散模型245
10-2-3 氧化及杂质再分布250
§10-3 参数测量技术252
10-3-1 MOS参数综合测量装置253
10-1-3 弱反型丁作的模型方程255
10-3-2 参数自动测试装置260
附录1 MOS晶体管的经典电流方程推导270
附录2 沟道调制漏区空间电荷区长度△L273
第十一章 CMOS集成电路设计入门275
§11-1 CMOS倒相器的尺寸选择275
§11-2 其它门电路的尺寸选择277
11-2-1 多输入端或非门及与非门电路277
11-2-2 传输门280
§11-3 CMOS集成电路版图设计入门282
11-3-1 版图设计举例282
11-3-2 版图设计规则284
11-3-3 版图设计中的其它问题286
第十二章 CMOS集成电路的应用技术291
§12-1 通用CMOS集成电路291
12-1-1 一般介绍291
12-1-2 CMOS集成电路的应用知识293
12-1-3 CMOS集成电路测试的基本知识303
12-1-4 CMOS集成电路同其它逻辑系列电路的接口方法316
12-1-5 CMOS集成电路的应用设计328
§12-2 CMOS存贮器电路380
12-2-1 CMOS RAM380
12-2-2 CMOS ROM386
12-2-3 CMOS移位寄存器389
§12-2 CMOS微处理器及微计算机391
12-3-1 CMOS微处理器391
12-3-2 CMOS微计算机394
§12-4 CMOS门阵列398
§12-5 CMOS模拟集成电路402
12-5-1 CMOS运算放大器和比较器402
12-5-2 CMOS功率开关405
附录1 国产通用CMOS集成电路同国外型号对照表412
附录2 TTL与CMOS国际型号对照表415