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半导体器件物理 第3版
  • (美)施敏,伍国珏著;耿莉,张瑞智译 著
  • 出版社: 西安:西安交通大学出版社
  • ISBN:9787560525969
  • 出版时间:2008
  • 标注页数:598页
  • 文件大小:115MB
  • 文件页数:609页
  • 主题词:半导体器件-高等学校-教材

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图书目录

导言1

第1部分 半导体物理4

第1章 半导体物理学和半导体性质概要4

1.1引言4

1.2晶体结构5

1.3能带和能隙8

1.4热平衡时的载流子浓度11

1.5载流子输运现象21

1.6声子、光学和热特性38

1.7异质结和纳米结构42

1.8基本方程和实例47

第2部分 器件的基本构件60

第2章p-n结二极管60

2.1引言60

2.2耗尽区61

2.3电流-电压特性69

2.4结击穿78

2.5瞬变特性与噪声87

2.6端功能91

2.7异质结95

第3章 金属-半导体接触102

3.1引言102

3.2势垒的形成103

3.3电流输运过程117

3.4势垒高度的测量130

3.5器件结构138

3.6欧姆接触142

第4章 金属-绝缘体-半导体电容151

4.1引言151

4.2理想MIS电容151

4.3硅MOS电容163

第3部分 晶体管186

第5章 双极晶体管186

5.1引言186

5.2静态特性187

5.3微波特性201

5.4相关器件结构211

5.5异质结双极晶体管215

第6章MOS场效应晶体管224

6.1引言224

6.2器件的基本特性227

6.3非均匀掺杂和埋沟器件244

6.4器件按比例缩小和短沟道效应250

6.5 MOSFET的结构258

6.6电路应用264

6.7非挥发存储器266

6.8单电子晶体管274

第7章JFET, MESFET和MODFET器件285

7.1引言285

7.2 JFET和MESFET286

7.3 MODFET304

第4部分 负阻器件和功率器件316

第8章 隧道器件316

8.1引言316

8.2隧道二极管317

8.3相关的隧道器件329

8.4共振遂穿二极管343

第9章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管353

9.1引言353

9.2静态特性354

9.3动态特性359

9.4功率和效率365

9.5噪声特性371

9.6器件设计和性能374

9.7 BARITT二极管376

9.8 TUNNETT二极管382

第10章 转移电子器件和实空间转移器件387

10.1引言387

10.2转移电子器件387

10.3实空间转移器件406

第11章 晶闸管和功率器件415

11.1引言415

11.2晶闸管的特性416

11.3晶闸管的变种435

11.3其它功率器件440

第5部分 光学器件和传感器454

第12章 发光二极管和半导体激光器454

12.1引言454

12.2辐射跃迁455

12.3发光二极管459

12.4激光器物理468

12.5激光器工作特性476

12.6特种激光器491

第13章 光电探测器和太阳电池500

13.1引言500

13.2光电导503

13.3光电二极管506

13.4雪崩光电二极管514

13.5光电晶体管523

13.6电荷耦合器件(CCD)525

13.7金属-半导体-金属光电探测器537

13.8量子阱红外光电探测器539

13.9太阳电池541

第14章 传感器560

14.1引言560

14.2温度传感器561

14.3机械传感器565

14.4磁敏传感器571

14.5化学传感器576

附录583

A.符号表583

B.国际单位制592

C.单位词头593

D.希腊字母表594

E.物理常数595

F.重要半导体的特性596

G.Si和GaAs的特性597

H.Si O2和Si3 N4的特性598

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