图书介绍

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半导体器件的可靠性 第4集
  • 中国科学技术情报研究所重庆分所编辑 著
  • 出版社: 北京:科学技术文献出版社;重庆分社
  • ISBN:15176·132
  • 出版时间:1977
  • 标注页数:99页
  • 文件大小:33MB
  • 文件页数:102页
  • 主题词:

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图书目录

目 录1

电子学中的电迁移和失效:引言1

失效分析(综述)9

SiO2膜中的电击穿机理11

使用俄歇能谱学和其它先进分析技术来分析微电子材料20

采用质子束对表面的分析23

用电子探针微分析器对半导体的观察29

互连和微型接头的无损测试(总结报告)37

利用扫描电子显微镜测量p-n结深度51

扫描电子显微镜在半导体器件中的应用53

扫描电子显微镜在半导体器件的薄膜研究中的应用68

离子微探针在半导体失效分析中的应用73

硅中电活性杂质沉积缺陷的电子显微镜研究75

中规模集成数字逻辑阵列87

限制大规模集成电路性能和可靠性的材料和界面因素89

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