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集成电路 B
  • (日)荒井英辅编著 著
  • 出版社: 北京:科学出版社
  • ISBN:7030036042
  • 出版时间:2000
  • 标注页数:141页
  • 文件大小:7MB
  • 文件页数:158页
  • 主题词:

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图书目录

1.1 集成电路新产品的研究2

1 集成电路设计与制造的关系2

1.2 影响开发周期的CAD技术和可靠性评估4

1.3 组装技术和集成电路设计的关系5

练习题6

2 集成电路设计的CAD技术8

2.1 集成电路设计的CAD技术概述8

2.2 功能设计的CAD技术11

2.3 逻辑设计的CAD技术14

2.4 测试设计的CAD技术16

2.5 布图设计的CAD技术18

篇外话27

自动布图设计的技巧27

练习题27

3.1 CMOS基本门电路的分类30

3 数字集成电路的设计30

3.2 典型的组合型逻辑电路35

3.3 时序逻辑电路基础40

使用D-FF的同步计数器的设计44

3.4 微处理器的设计46

3.5 专用集成电路的设计55

练习题60

4 模拟集成电路的设计62

4.1 基本模拟集成电路62

4.2 各种放大电路64

4.3 模/数和数/模转换电路66

集成电路中晶体管和电阻所占面积的比较67

4.4 其他常用模拟电路70

练习题78

引用文献78

5 存储器集成电路的设计80

5.1 存储器集成电路的种类80

5.2 存储单元的种类和构造85

存储单元电路的发展88

5.3 存储单元数据的读出和写入96

5.4 制造存储器集成电路时的注意事项99

引用文献101

练习题101

6 封装及组装技术104

6.1 封装的性能要求104

6.2 塑料封装工艺106

6.3 塑料封装材料108

6.4 陶瓷封装109

6.5 封装的种类及其趋势111

6.6 芯片裸装技术113

6.7 热阻115

陶瓷封装外壳的制造工艺117

练习题118

7 集成电路的可靠性120

7.1 影响集成电路可靠性的主要因素120

7.2 栅极二氧化硅膜的退化机理122

7.3 热载流子引起MOS晶体管退化的机理125

7.4 布线退化机理130

威布尔(Weibull)分布132

引用文献133

练习题133

练习题解答135

参考文献141

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