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![集成电路 B](https://www.shukui.net/cover/45/31149148.jpg)
- (日)荒井英辅编著 著
- 出版社: 北京:科学出版社
- ISBN:7030036042
- 出版时间:2000
- 标注页数:141页
- 文件大小:7MB
- 文件页数:158页
- 主题词:
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图书目录
1.1 集成电路新产品的研究2
1 集成电路设计与制造的关系2
1.2 影响开发周期的CAD技术和可靠性评估4
1.3 组装技术和集成电路设计的关系5
练习题6
2 集成电路设计的CAD技术8
2.1 集成电路设计的CAD技术概述8
2.2 功能设计的CAD技术11
2.3 逻辑设计的CAD技术14
2.4 测试设计的CAD技术16
2.5 布图设计的CAD技术18
篇外话27
自动布图设计的技巧27
练习题27
3.1 CMOS基本门电路的分类30
3 数字集成电路的设计30
3.2 典型的组合型逻辑电路35
3.3 时序逻辑电路基础40
使用D-FF的同步计数器的设计44
3.4 微处理器的设计46
3.5 专用集成电路的设计55
练习题60
4 模拟集成电路的设计62
4.1 基本模拟集成电路62
4.2 各种放大电路64
4.3 模/数和数/模转换电路66
集成电路中晶体管和电阻所占面积的比较67
4.4 其他常用模拟电路70
练习题78
引用文献78
5 存储器集成电路的设计80
5.1 存储器集成电路的种类80
5.2 存储单元的种类和构造85
存储单元电路的发展88
5.3 存储单元数据的读出和写入96
5.4 制造存储器集成电路时的注意事项99
引用文献101
练习题101
6 封装及组装技术104
6.1 封装的性能要求104
6.2 塑料封装工艺106
6.3 塑料封装材料108
6.4 陶瓷封装109
6.5 封装的种类及其趋势111
6.6 芯片裸装技术113
6.7 热阻115
陶瓷封装外壳的制造工艺117
练习题118
7 集成电路的可靠性120
7.1 影响集成电路可靠性的主要因素120
7.2 栅极二氧化硅膜的退化机理122
7.3 热载流子引起MOS晶体管退化的机理125
7.4 布线退化机理130
威布尔(Weibull)分布132
引用文献133
练习题133
练习题解答135
参考文献141