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第一部分　非晶半导体理论研究1

1-1　非晶固体形成能力的理论推导3

1-2　a-Si1-xNx:H薄膜拉曼谱的理论研究9

1-3　非晶半导体中杂质和缺陷态的电子统计理论15

1-4　用模拟退火模型研究非晶硅的结构和振动性质21

1-5　掺硼a-SiC:H膜中热诱导缺陷的产生过程26

1-6　非晶Si和非晶Si基合金半导体的g因子计算34

1-7　薄膜生长的理论模型与Monte Carlo模拟39

1-8　势阱中杂质薄层对双垒结构共振隧道的影响44

第二部分　非晶硅基合金薄膜的制备及特性研究50

2-1　SiH4和C2H4辉光放电法制备a-SixC1-x:H膜的光—电特性51

2-2　GD a-SixC1-x:H膜中光电导的吸附和光诱导效应59

2-3　a-SixC1-x:H膜的吸附和表面态研究67

2-4　a-Si:H/a-SixC1-x:H多层膜的瞬态光电导73

2-5　未掺杂a-Si:H/a-SixC1-x:H多层膜的瞬态光电导80

2-6　GD a-Si:H/a-SixC1-x:H超晶格的光学性质83

2-7　用逐次退火法研究a-Si:H/a-Ge:H多层膜的结构变化86

2-8　a-GeNx和a-GeNx:H薄膜的制备及光电特性的研究90

2-9　高温退火a-SiC:H膜光吸收边的影响95

第三部分　非晶半导体薄膜缺陷态的研究102

3-1　掺杂a-Si1-xCx:H和a-Si1-xNx:H膜的ESR和IR研究103

3-2　由反应溅射法制备的B-掺杂a-Si:H膜的ESR研究111

3-3　P,B-掺杂的a-Si1-xCx:H膜的高温ESR特性117

3-4　a-Si1-xCx:H膜的LESR研究121

3-5　氢化非晶锗碳薄膜中的自旋缺陷态127

3-6　用核反应分析法测量掺杂a-SiC:H膜中的氢和硼浓度133

第四部分　非晶硅碳薄膜材料的电子能谱137

4-1　用XPS研究GD-a-SixC1-x膜中等离子体激元的特征138

4-2　RS-a-SixC1-x:H合金膜的EELS研究143

4-3　用电子能量损失谱研究GD-a-C:H膜的价电子特性146

4-4　用UPS和EELS技术研究a-Si1-xCx:H膜的价电子特性149

4-5　用EELS和UPS研究a-C:H膜的价电子行为153

4-6　用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性157

第五部分 窄带隙材料和a-Si:H/a-SiGe:H叠层太阳电池的研究163

5-1　RF-辉光放电法制备高光敏性a-SiGe:H膜164

5-2　射频溅射法制备a-Si1-xSnx:H膜的结构特性169

5-3　衬底温度对溅射a-Si1-xSnx:H合金膜结构的影响177

5-4　反应溅射法制备的a-GeNx:H膜的IR和Raman谱181

5-5　反应溅射法制备的a-GeNx:H膜退火行为的ESR研究185

5-6　a-SiGex合金光学常数的研究188

5-7　用核共振反应分析法研究a-Ge:H膜中氢浓度和分布194

第六部分 非晶半导体膜的电致发光、纳米可见发光及场电子发射的研究197

6-1　a-Si1-xCx:H/nin-p结构的注入电致发光198

6-2　各种结构的a-Si1-xCx:H和a-Si:H器件的电致发光201

6-3　nO/a-Si:H结构的注入电致发光205

6-4　a-C:H膜的电致发光研究208

6-5　a-C:H多层膜的电致发光212

6-6　a-Si1-xCx:H/pn-结构的蓝—白电致发光216

6-7　宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题220

6-8　新型金刚石薄膜场电子发射的特性226

第七部分 金刚石和类金刚石薄膜生长机理的研究231

7-1　CVD-金刚石膜的表面能和形态232

7-2　用原位光发射谱（OES）研究弧光放电法制备金刚石膜238

7-3　直流弧光放电法合成金刚石膜的I-V特性243

7-4　氢对金刚石膜和Zr,Hf衬底间过渡层的影响248

7-5　在Si和W衬底上沉积金刚石膜的生长特性254

7-6　用X-射线衍射谱研究金刚石薄膜结构262

7-7　直流弧光放电CVD法制备金刚石薄膜及其等离子体的光发射谱原位测量268

7-8　退火对a-C:H膜光学性质的影响273

7-9　用微波等离子体化学气相沉积（MWCVD）法在（100）Si衬底上沉积织构金刚石膜278

7-10　织构金刚薄膜的成核与生长279

第八部分 高质量织构立方氮化硼（c-BN）薄膜的制备及织构特性研究285

8-1　在Ni衬底上沉积高质量c-BN膜286

8-2　在Ni衬底上c-BN的织构生长291

8-3　c-BN薄膜的光学吸收边特性295

8-4　立方氮化硼薄膜的织构生长301

8-5　衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响304

第九部分 全碳分子（C60,C70…）的合成和特性研究310

9-1　C60/PMMA薄膜中C60的晶化和取向311

9-2　C60薄膜的红外研究316

9-3　氮掺杂的富勒烯的ESR特性321

9-4　氮掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究329

9-5　硫掺杂C60薄膜电学性质研究332

第十部分　高质量氮化碳（β-C3N4）薄膜的制备及特性研究336

10-1　β-C3N4的制备及若干问题探讨337

10-2　氮化碳薄膜的结构与特性340

10-3　结晶β-C3N4薄膜的制备和特性研究344

第十一部分　硫系非晶半导体薄膜的制备与特性349

11-1　Ge对非晶硫系半导体低温跳跃电导率的影响350

11-2　非晶态As40S60-xSex薄膜光黑化效应的研究356

11-3　非晶态硫系化合物半导体的制备和电导特性的研究361

第十二部分　微重力和超重力对InSb晶体生长的影响364

12-1　微重力和超重力环境下生长的InSb晶体的电学特性365

12-2　微重力环境下InSb晶体生长370