图书介绍
VLSI设计基础 第3版PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 李伟华编著 著
- 出版社： 北京：电子工业出版社
- ISBN：9787121205910
- 出版时间：2013
- 标注页数：288页
- 文件大小：84MB
- 文件页数：302页
- 主题词：超大规模集成电路－电路设计－高等学校－教材
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图书目录
第1章 VLSI设计概述1
1.1 系统及系统集成1
1.1.1 信息链1
1.1.2 模块与硬件2
1.1.3 系统集成5
1.2 VLSI设计方法与管理7
1.2.1 设计层次与设计方法7
1.2.2 复杂性管理11
1.2.3 版图设计理念13
1.3 VLSI设计技术基础与主流制造技术14
1.4 新技术对VLSI的贡献15
1.5 设计问题与设计工具16
1.6 一些术语与概念17
1.7 本书主要内容与学习方法指导19
练习与思考一20
第2章 MOS器件与工艺基础21
2.1 MOS晶体管基础21
2.1.1 MOS晶体管结构及基本工作原理21
2.1.2 MOS晶体管的阈值电压VT24
2.1.3 MOS晶体管的电流—电压方程25
2.1.4 MOS器件的平方律转移特性26
2.1.5 MOS晶体管的跨导gm26
2.1.6 MOS器件的直流导通电阻26
2.1.7 MOS器件的交流电阻27
2.1.8 MOS器件的最高工作频率27
2.1.9 MOS器件的衬底偏置效应28
2.1.10 CMOS结构29
2.2 CMOS逻辑部件29
2.2.1 CMOS倒相器设计29
2.2.2 CMOS与非门和或非门的结构及其等效倒相器设计方法30
2.2.3 其他CMOS逻辑门32
2.2.4 D触发器37
2.2.5 内部信号的分布式驱动结构38
2.3 MOS集成电路工艺基础38
2.3.1 基本的集成电路加工工艺39
2.3.2 CMOS工艺简化流程42
2.3.3 Bi-CMOS工艺技术45
2.4 版图设计46
2.4.1 简单MOSFET版图46
2.4.2 大尺寸MOSFET的版图设计47
2.4.3 失配与匹配设计51
2.5 发展的MOS器件技术58
2.5.1 物理效应对器件特性的影响58
2.5.2 材料技术61
2.5.3 器件结构63
练习与思考二65
第3章 设计与工艺接口66
3.1 设计与工艺接口问题66
3.1.1 基本问题——工艺线选择66
3.1.2 设计的困惑66
3.1.3 设计与工艺接口68
3.2 工艺抽象68
3.2.1 工艺对设计的制约69
3.2.2 工艺抽象70
3.3 电学设计规则73
3.3.1 电学规则的一般描述73
3.3.2 器件模型参数75
3.3.3 模型参数的离散及仿真方法77
3.4 几何设计规则79
3.4.1 几何设计规则描述80
3.4.2 一个版图设计的例子87
3.5 工艺检查与监控87
3.5.1 PCM（Process Control Monitor）87
3.5.2 测试图形及参数测量88
本章结束语93
练习与思考三93
第4章 晶体管规则阵列设计技术94
4.1 晶体管阵列及其逻辑设计应用94
4.1.1 全NMOS结构ROM95
4.1.2 ROM版图96
4.2 MOS晶体管开关逻辑100
4.3 PLA及其拓展结构103
4.3.1 “与非—与非”阵列结构103
4.3.2 “或非—或非”阵列结构104
4.3.3 多级门阵列（MGA）106
4.4 门阵列108
4.4.1 门阵列单元109
4.4.2 整体结构设计准则112
4.4.3 门阵列在VLSI设计中的应用形式112
4.5 晶体管规则阵列设计技术应用示例113
练习与思考四115
第5章 单元库设计技术118
5.1 单元库概念118
5.2 标准单元设计技术119
5.2.1 标准单元描述119
5.2.2 标准单元库设计120
5.2.3 输入／输出单元（I/O PAD）122
5.3 积木块设计技术130
5.4 单元库技术的拓展131
本章结束语132
练习与思考五132
第6章 微处理器135
6.1 系统结构概述135
6.2 微处理器单元设计136
6.2.1 控制器单元136
6.2.2 算术逻辑单元（ALU）139
6.2.3 乘法器149
6.2.4 移位器150
6.2.5 寄存器152
6.2.6 堆栈155
6.3 存储器组织156
6.3.1 存储器组织结构156
6.3.2 行译码器结构157
6.3.3 列选择电路结构160
6.4 微处理器的输入／输出单元162
6.4.1 P0口单元结构162
6.4.2 P1口单元结构163
6.4.3 P2口单元结构164
6.4.4 P3口单元结构164
本章结束语164
练习与思考六165
第7章 测试技术和可测试性设计167
7.1 VLSI可测试性的重要性167
7.2 测试基础168
7.2.1 内部节点测试方法的测试思想168
7.2.2 故障模型169
7.2.3 可测试性分析172
7.2.4 测试矢量生成173
7.3 可测试性设计175
7.3.1 分块测试176
7.3.2 可测试性的改善设计176
7.3.3 内建自测试技术179
7.3.4 扫描测试技术180
本章结束语180
练习与思考七181
第8章 模拟单元与变换电路182
8.1 模拟集成单元中的基本元件182
8.1.1 电阻182
8.1.2 电容187
8.2 基本偏置电路189
8.2.1 电流偏置电路189
8.2.2 电压偏置电路196
8.3 放大电路199
8.3.1 单级倒相放大器199
8.3.2 差分放大器205
8.3.3 源极跟随器209
8.3.4 MOS输出放大器211
8.4 运算放大器213
8.4.1 普通两级CMOS运放213
8.4.2 采用共源—共栅（cascode）输出级的CMOS运放214
8.4.3 采用推挽输出级的CMOS运放215
8.4.4 采用衬底NPN管输出级的CMOS运放215
8.4.5 采用共源—共栅输入级的CMOS运放216
8.5 电压比较器217
8.5.1 电压比较器的电压传输特性217
8.5.2 差分电压比较器218
8.5.3 两级电压比较器218
8.6 D/A、A/D变换电路218
8.6.1 D/A变换电路219
8.6.2 A/D变换电路221
本章结束语225
练习与思考八225
第9章 微机电系统（MEMS）228
9.1 MEMS器件概念228
9.1.1 几种简单的MEMS结构229
9.1.2 集成微系统234
9.1.3 多能域问题和复杂性设计问题242
9.2 CMOS MEMS243
9.2.1 材料的复用性243
9.2.2 工艺的兼容性244
9.3 MEMS器件描述与分析246
9.3.1 简单梁受力与运动分析246
9.3.2 Pull-in现象247
9.4 MEMS器件建模与仿真248
9.4.1 等效电路建模基础：类比249
9.4.2 MEMS器件等效电路宏模型253
9.4.3 器件特性与仿真257
本章结束语263
练习与思考九263
第10章 设计系统与设计技术264
10.1 设计系统的组织264
10.1.1 管理和支持软件模块264
10.1.2 数据库264
10.1.3 应用软件266
10.2 设计流程与软件的应用269
10.2.1 高度自动化的设计269
10.2.2 计算机辅助版图设计271
10.2.3 单元库设计272
10.3 设计综合技术273
10.3.1 硬件描述语言HDL273
10.3.2 设计优化282
10.4 可制造性设计（DFM）284
10.4.1 一些特殊的问题284
10.4.2 DFM技术示例286
本章结束语287
参考文献288