图书介绍
Ⅲ族氮化物发光二极管技术及其应用PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 李晋闽，王军喜，刘哲著 著
- 出版社： 北京：科学出版社
- ISBN：7030472640
- 出版时间：2016
- 标注页数：266页
- 文件大小：46MB
- 文件页数：277页
- 主题词：氮化物－发光二极管－照明技术－研究
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图书目录
第1章 绪论1
参考文献4
第2章 LED的基本原理6
2.1 LED发光原理6
2.2 辐射复合与非辐射复合10
2.3 LED的光学特性与电学特性11
2.4 白光LED原理16
参考文献18
第3章 Ⅲ族氮化物LED材料的性质与测试19
3.1 Ⅲ族氮化物的晶体结构和能带结构19
3.2 Ⅲ族氮化物材料的极化效应22
3.3 Ⅲ族氮化物LED材料的掺杂24
3.4 Ⅲ族氮化物材料性质测试分析26
参考文献32
第4章 Ⅲ族氮化物LED材料的外延生长33
4.1 外延生长基本模式33
4.2 Ⅲ族氮化物LED外延生长的衬底35
4.3 Ⅲ族氮化物LED外延技术37
4.4 MOCVD生长氮化物材料的两步生长法45
4.5 Ⅲ族氮化物材料外延层生长条件对材料质量的影响49
4.6 SiC衬底上高质量GaN的外延技术58
参考文献64
第5章 InGaN／GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED66
5.1 InGaN材料体系简介66
5.2 InGaN／GaN多量子阱材料中的极化效应67
5.3 量子限制斯塔克效应72
5.4 InGaN／GaN多量子阱中的载流子局域化74
5.5 绿光LED及非极性、半极性LED76
参考文献81
第6章 AlGaN基多量子阱材料及紫外LED84
6.1 A1GaN材料体系简介85
6.2 AlGaN材料的光学特性和电学特性86
6.3 A1GaN材料外延生长和掺杂技术88
6.4 紫外LED的结构设计及制备93
参考文献98
第7章 Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技术101
7.1 LED的三种结构101
7.2 内部量子效率提升技术104
7.3 光取出效率提升技术114
7.4 电流注入效率提升技术128
7.5 Droop效应137
参考文献142
第8章 Ⅲ族氮化物LED的关键制备工艺144
8.1 Ⅲ族氮化物LED制备工艺流程144
8.2 光刻工艺145
8.3 刻蚀工艺149
8.4 蒸发和溅射152
8.5 欧姆接触153
8.6 倒装结构LED的关键工艺158
8.7 垂直结构LED的关键工艺160
8.8 交流／高压LED的关键工艺166
参考文献171
第9章 Ⅲ族氮化物LED的封装173
9.1 Ⅲ族氮化物LED封装材料173
9.2 Ⅲ族氮化物LED封装工艺177
9.3 LED封装技术180
9.4 封装及系统散热技术185
9.5 封装形式的发展趋势187
参考文献187
第10章 Ⅲ族氮化物LED器件的可靠性分析189
10.1 失效模式和失效分析189
10.2 LED老化测试和老化机制198
10.3 LED系统可靠性202
参考文献209
第11章 LED的应用211
11.1 新型光环境技术211
11.2 可见光通信应用系统214
11.3 LED显示217
11.4 植物照明应用223
11.5 医疗应用229
参考文献230
第12章 新型氮化物LED技术232
12.1 GaN基纳米柱LED232
12.2 量子点LED243
12.3 表面等离激元增强GaN基LED247
12.4 GaN基偏振光LED254
参考文献261
索引263